SINOMICON推出SM51F003/E85F003C通用MCU

日期:2020-01-10   作者:SINOMICON


中基国威推出8051内核AD型单片机MCU SM51F003/E85F003C。

与STM8S003F3P6有较好的兼容性,主要特点包括:

1、EFT抗干扰能力强,目前面对多个方案测试中在均表现良好,部分方案电源为阻容降压电路。干扰源为4.8Kv电压,干扰频率分为5K/10K两种,整体正常工作。

2、芯片级ESD和LATCHUP测试中人体放电模型可过4000V,机器放电可过400V,LATCH-UP可过350mA,达到工业品标准。

3、上下电测试,各种电源上下电随机波动,快速或者缓慢上下电芯片均正常启动工作。

4、待机低功耗典型值小于3uA,定时10ms启动AD工作转换平均功耗小于20uA。

5、12位高精度ADC,配合内部高精度参考,有效地完成模数转换。

6、带有10个大电流口,灌电流可达80mA。

7、芯片带有内部DATA_FLASH,擦写次数可达10万次,可替换外部EEPROM。

8、高精度内部时钟,全温度-40度~85度实际变化范围可做到正负1.5%。

9、采用1T51核,标准KIEL开发平台,开发简单

SM51F003/E85F003C提供TSSOP20/QFN20封装形式。


资源对比表


品牌

ST(意法半导体)

NUVOTON(新唐)

SINOMICON(中基国威)

器件内核

8位STM8

8位1T8051

8位1T8051

完整型号

STM8S003F3P6

N76E003AT20

SM51F003

主频

16MHz

16MHz

16MHz

封装形式

TSSOP20

TSSOP20

TSSOP20

工作温度

-40℃至+85℃

-40℃至+105℃

-40℃至+85℃

工作电压

2.95V至5.5V

2.4V至5.5V

2.1V至5.5V,最低工作1.8V

休眠电流

小于5uA

小于5uA

小于3uA,BOR,WDT使能

工作电流

230uA/MHz

——

200uA/MHz

内存空间

8Kbytes(100次擦写)

18Kbytes MTP

8Kbytes(10万次擦写)

RAM

1K Bytes

1K Bytes

1K Bytes

EEPROM

128 Bytes(独立区域)

18K Bytes闪存(非独立区域)

512 Bytes(独立区域)

IO数量

16个

17个+1个输入口

17个

PWM

3路16bit

6路16bit

6路16bit

TIMER

2x16bit+1x8bit

3x16bit+1x16bit(for PWM)

4x16bit

ADC

5路10bit,
428kHz/14ck

8路12bit,400kHz

12路12bit,500kHz
内置高精度VREF

UART

1CHS

2CHS

1CHS(分时用时可3路复用)

SPI

1(8Mbits)

1(8Mbits)

1(8Mbits)

IIC

1(400Kbit/s)

1(400Kbit/s)

1(400Kbit/s)

高速
内部RC

16MHz±1.5%
@25℃至±85℃

16MHz±1% @25℃
16MHz±2% @-40至+105℃

16MHz±1% @25℃
16MHz±2% @-40至+85℃

低速
内部RC

128kHz低速内部 RC

10kHz低速内部 RC

16kHz低速内部 RC

ESD&EFT

——

HBM/8KV MM400V.
Over 4KV

HBM/8KV MM400V.
Over 4KV

ICE

on-chip/SWIM

on-chip/two-wire

on-chip/two-wire download